VBI2338 - аналоги и даташиты транзистора

 

VBI2338 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBI2338
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.050(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для VBI2338

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBI2338 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:558K  cn vbsemi
 vbi2338.pdf pdf_icon

VBI2338

VBI2338www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.050 at VGS = - 10 V - 7.6 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.056 at VGS = - 4.5 V - 6.0APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchDS G G D SD P-Channel MOSFET ABS

Другие MOSFET... VBFB2317 , VBFB2412 , VBFB2610N , VBFB2658 , VBI1101M , VBI1322 , VBI1638 , VBI1695 , 20N50 , VBI2658 , VBJ1101M , VBJ1201K , VBJ1322 , VBJ1638 , VBJ1695 , VBJ2102M , VBJ2456 .

History: SE20040 | ME7170-G | D12N06 | SE20075 | GSM4516W | AP4426GM-HF | XP161A1265PR-G

 

 
Back to Top

 


 
.