VBI2338 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBI2338  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.050 typ Ohm

Тип корпуса: SOT89

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBI2338

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBI2338 даташит

 ..1. Size:558K  cn vbsemi
 vbi2338.pdf pdf_icon

VBI2338

VBI2338 www.VBsemi.com P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.050 at VGS = - 10 V - 7.6 TrenchFET Power MOSFET - 30 13 nC 100 % Rg Tested 0.056 at VGS = - 4.5 V - 6.0 APPLICATIONS Load Switch Battery Switch D S G G D S D P-Channel MOSFET ABS

Другие IGBT... VBFB2317, VBFB2412, VBFB2610N, VBFB2658, VBI1101M, VBI1322, VBI1638, VBI1695, AON7410, VBI2658, VBJ1101M, VBJ1201K, VBJ1322, VBJ1638, VBJ1695, VBJ2102M, VBJ2456