VBJ1101M Todos los transistores

 

VBJ1101M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBJ1101M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.110(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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VBJ1101M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:432K  cn vbsemi
 vbj1101m.pdf pdf_icon

VBJ1101M

VBJ1101Mwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.100 at VGS = 10 V 5.0 TrenchFET Power MOSFETs1000.120 at VGS = 4.5 V 4.5 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSOT-223D GSDGSN-Channel MOSFET

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History: NP82N04NUG | NCE50NF600I | BUK9Y4R4-40E | MMIX1F360N15T2 | BSC010NE2LS | 2N6917 | AP60SL150AR

 

 
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