VBJ1101M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBJ1101M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.110 typ Ohm

Тип корпуса: SOT223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBJ1101M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBJ1101M даташит

 ..1. Size:432K  cn vbsemi
 vbj1101m.pdf pdf_icon

VBJ1101M

VBJ1101M www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.100 at VGS = 10 V 5.0 TrenchFET Power MOSFETs 100 0.120 at VGS = 4.5 V 4.5 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D SOT-223 D G S D G S N-Channel MOSFET

Другие IGBT... VBFB2610N, VBFB2658, VBI1101M, VBI1322, VBI1638, VBI1695, VBI2338, VBI2658, STP80NF70, VBJ1201K, VBJ1322, VBJ1638, VBJ1695, VBJ2102M, VBJ2456, VBJ2658, VBK1270