Справочник MOSFET. VBJ1101M

 

VBJ1101M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBJ1101M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.110(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для VBJ1101M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBJ1101M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:432K  cn vbsemi
 vbj1101m.pdf pdf_icon

VBJ1101M

VBJ1101Mwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.100 at VGS = 10 V 5.0 TrenchFET Power MOSFETs1000.120 at VGS = 4.5 V 4.5 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSOT-223D GSDGSN-Channel MOSFET

Другие MOSFET... VBFB2610N , VBFB2658 , VBI1101M , VBI1322 , VBI1638 , VBI1695 , VBI2338 , VBI2658 , IRFZ24N , VBJ1201K , VBJ1322 , VBJ1638 , VBJ1695 , VBJ2102M , VBJ2456 , VBJ2658 , VBK1270 .

History: AOTF11N70

 

 
Back to Top

 


 
.