VBJ1101M - описание и поиск аналогов

 

VBJ1101M - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBJ1101M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.110(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для VBJ1101M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBJ1101M технические параметры

 ..1. Size:432K  cn vbsemi
 vbj1101m.pdf pdf_icon

VBJ1101M

VBJ1101M www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.100 at VGS = 10 V 5.0 TrenchFET Power MOSFETs 100 0.120 at VGS = 4.5 V 4.5 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D SOT-223 D G S D G S N-Channel MOSFET

Другие MOSFET... VBFB2610N , VBFB2658 , VBI1101M , VBI1322 , VBI1638 , VBI1695 , VBI2338 , VBI2658 , TK10A60D , VBJ1201K , VBJ1322 , VBJ1638 , VBJ1695 , VBJ2102M , VBJ2456 , VBJ2658 , VBK1270 .

 

 
Back to Top

 


 
.