VBJ1201K Todos los transistores

 

VBJ1201K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBJ1201K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

 Búsqueda de reemplazo de VBJ1201K MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VBJ1201K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:625K  cn vbsemi
 vbj1201k.pdf pdf_icon

VBJ1201K

VBJ1201Kwww.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Available in tape and reelVDS (V) 200 Dynamic dV/dt ratingRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2 Repetitive avalanche ratedQg (Max.) (nC) 8.2 Fast switchingQgs (nC) 1.8 Ease of parallelingAvailableQgd (nC) 4.5 Simple drive requirementsConfiguration SingleDSOT-223DGSDG

Otros transistores... VBFB2658 , VBI1101M , VBI1322 , VBI1638 , VBI1695 , VBI2338 , VBI2658 , VBJ1101M , P60NF06 , VBJ1322 , VBJ1638 , VBJ1695 , VBJ2102M , VBJ2456 , VBJ2658 , VBK1270 , VBK162K .

History: SE10080A | AP40T10GP | IRF6810S | APT10045B2FLLG | IRFI530N | 2SK614 | BSC150N03LDG

 

 
Back to Top

 


 
.