Справочник MOSFET. VBJ1201K

 

VBJ1201K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBJ1201K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для VBJ1201K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBJ1201K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:625K  cn vbsemi
 vbj1201k.pdf pdf_icon

VBJ1201K

VBJ1201Kwww.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Available in tape and reelVDS (V) 200 Dynamic dV/dt ratingRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2 Repetitive avalanche ratedQg (Max.) (nC) 8.2 Fast switchingQgs (nC) 1.8 Ease of parallelingAvailableQgd (nC) 4.5 Simple drive requirementsConfiguration SingleDSOT-223DGSDG

Другие MOSFET... VBFB2658 , VBI1101M , VBI1322 , VBI1638 , VBI1695 , VBI2338 , VBI2658 , VBJ1101M , P60NF06 , VBJ1322 , VBJ1638 , VBJ1695 , VBJ2102M , VBJ2456 , VBJ2658 , VBK1270 , VBK162K .

History: SUM75N15-18P | FHF20N65A | CS10J60A4-G | BUK9Y34-100B | 2SK2504TL | AP60T03GJ-HF | AM3531C

 

 
Back to Top

 


 
.