VBJ1201K - описание и поиск аналогов

 

VBJ1201K - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBJ1201K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для VBJ1201K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBJ1201K технические параметры

 ..1. Size:625K  cn vbsemi
 vbj1201k.pdf pdf_icon

VBJ1201K

VBJ1201K www.VBsemi.com N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Available in tape and reel VDS (V) 200 Dynamic dV/dt rating RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.2 Repetitive avalanche rated Qg (Max.) (nC) 8.2 Fast switching Qgs (nC) 1.8 Ease of paralleling Available Qgd (nC) 4.5 Simple drive requirements Configuration Single D SOT-223 D G S D G

Другие MOSFET... VBFB2658 , VBI1101M , VBI1322 , VBI1638 , VBI1695 , VBI2338 , VBI2658 , VBJ1101M , AO4407 , VBJ1322 , VBJ1638 , VBJ1695 , VBJ2102M , VBJ2456 , VBJ2658 , VBK1270 , VBK162K .

 

 
Back to Top

 


 
.