VBJ1201K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBJ1201K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: SOT223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBJ1201K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBJ1201K даташит

 ..1. Size:625K  cn vbsemi
 vbj1201k.pdf pdf_icon

VBJ1201K

VBJ1201K www.VBsemi.com N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Available in tape and reel VDS (V) 200 Dynamic dV/dt rating RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.2 Repetitive avalanche rated Qg (Max.) (nC) 8.2 Fast switching Qgs (nC) 1.8 Ease of paralleling Available Qgd (nC) 4.5 Simple drive requirements Configuration Single D SOT-223 D G S D G

Другие IGBT... VBFB2658, VBI1101M, VBI1322, VBI1638, VBI1695, VBI2338, VBI2658, VBJ1101M, 5N60, VBJ1322, VBJ1638, VBJ1695, VBJ2102M, VBJ2456, VBJ2658, VBK1270, VBK162K