VBJ2102M Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBJ2102M  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.200 typ Ohm

Encapsulados: SOT223

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de VBJ2102M MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VBJ2102M datasheet

 ..1. Size:698K  cn vbsemi
 vbj2102m.pdf pdf_icon

VBJ2102M

VBJ2102M www.VBsemi.com P-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested 0.200 at VGS = - 10 V - 3.0 - 100 13.2 nC 0.230 at VGS = - 6 V - 2.4 APPLICATIONS Available Active Clamp in Intermediate DC/ DC Power Supplies S H-Bridge High Side Switch for Lighting Application

Otros transistores... VBI1695, VBI2338, VBI2658, VBJ1101M, VBJ1201K, VBJ1322, VBJ1638, VBJ1695, 10N65, VBJ2456, VBJ2658, VBK1270, VBK162K, VBK2298, VBK3215N, VBK362K, VBK4223N