VBJ2102M - описание и поиск аналогов

 

VBJ2102M - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBJ2102M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.200(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для VBJ2102M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBJ2102M технические параметры

 ..1. Size:698K  cn vbsemi
 vbj2102m.pdf pdf_icon

VBJ2102M

VBJ2102M www.VBsemi.com P-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested 0.200 at VGS = - 10 V - 3.0 - 100 13.2 nC 0.230 at VGS = - 6 V - 2.4 APPLICATIONS Available Active Clamp in Intermediate DC/ DC Power Supplies S H-Bridge High Side Switch for Lighting Application

Другие MOSFET... VBI1695 , VBI2338 , VBI2658 , VBJ1101M , VBJ1201K , VBJ1322 , VBJ1638 , VBJ1695 , IRF1407 , VBJ2456 , VBJ2658 , VBK1270 , VBK162K , VBK2298 , VBK3215N , VBK362K , VBK4223N .

 

 
Back to Top

 


 
.