VBJ2102M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBJ2102M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.200 typ Ohm

Тип корпуса: SOT223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBJ2102M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBJ2102M даташит

 ..1. Size:698K  cn vbsemi
 vbj2102m.pdf pdf_icon

VBJ2102M

VBJ2102M www.VBsemi.com P-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested 0.200 at VGS = - 10 V - 3.0 - 100 13.2 nC 0.230 at VGS = - 6 V - 2.4 APPLICATIONS Available Active Clamp in Intermediate DC/ DC Power Supplies S H-Bridge High Side Switch for Lighting Application

Другие IGBT... VBI1695, VBI2338, VBI2658, VBJ1101M, VBJ1201K, VBJ1322, VBJ1638, VBJ1695, 10N65, VBJ2456, VBJ2658, VBK1270, VBK162K, VBK2298, VBK3215N, VBK362K, VBK4223N