Справочник MOSFET. VBJ2102M

 

VBJ2102M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBJ2102M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.200(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для VBJ2102M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBJ2102M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:698K  cn vbsemi
 vbj2102m.pdf pdf_icon

VBJ2102M

VBJ2102Mwww.VBsemi.comP-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested0.200 at VGS = - 10 V - 3.0- 100 13.2 nC0.230 at VGS = - 6 V - 2.4APPLICATIONSAvailable Active Clamp in Intermediate DC/DC Power SuppliesS H-Bridge High Side Switch forLighting Application

Другие MOSFET... VBI1695 , VBI2338 , VBI2658 , VBJ1101M , VBJ1201K , VBJ1322 , VBJ1638 , VBJ1695 , P0903BDG , VBJ2456 , VBJ2658 , VBK1270 , VBK162K , VBK2298 , VBK3215N , VBK362K , VBK4223N .

History: PSMN7R0-30YLC | DMP58D0LFB | HM4485 | NTD4965N-1G | 2SK1204 | IXTA88N085T

 

 
Back to Top

 


 
.