VBJ2456 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBJ2456  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 35 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: SOT223

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de VBJ2456 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VBJ2456 datasheet

 ..1. Size:570K  cn vbsemi
 vbj2456.pdf pdf_icon

VBJ2456

VBJ2456 www.VBsemi.com P-Channel 35 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.050 at VGS = - 10 V - 6.2 TrenchFET Power MOSFET - 35 9.8 nC 0.060 at VGS = - 4.5 V - 5.1 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S APPLICATIONS

Otros transistores... VBI2338, VBI2658, VBJ1101M, VBJ1201K, VBJ1322, VBJ1638, VBJ1695, VBJ2102M, IRF1407, VBJ2658, VBK1270, VBK162K, VBK2298, VBK3215N, VBK362K, VBK4223N, VBK5213N