Справочник MOSFET. VBJ2456

 

VBJ2456 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBJ2456
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для VBJ2456

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBJ2456 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:570K  cn vbsemi
 vbj2456.pdf pdf_icon

VBJ2456

VBJ2456www.VBsemi.comP-Channel 35 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.050 at VGS = - 10 V - 6.2 TrenchFET Power MOSFET- 35 9.8 nC0.060 at VGS = - 4.5 V - 5.1 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS APPLICATIONS

Другие MOSFET... VBI2338 , VBI2658 , VBJ1101M , VBJ1201K , VBJ1322 , VBJ1638 , VBJ1695 , VBJ2102M , 5N65 , VBJ2658 , VBK1270 , VBK162K , VBK2298 , VBK3215N , VBK362K , VBK4223N , VBK5213N .

History: CJ3139KDW | AD8N60S | CEB6060N | FDS5170N7 | IXTQ96N15P | APM4012NU

 

 
Back to Top

 


 
.