VBJ2456. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBJ2456

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для VBJ2456

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBJ2456 даташит

 ..1. Size:570K  cn vbsemi
 vbj2456.pdf pdf_icon

VBJ2456

VBJ2456 www.VBsemi.com P-Channel 35 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.050 at VGS = - 10 V - 6.2 TrenchFET Power MOSFET - 35 9.8 nC 0.060 at VGS = - 4.5 V - 5.1 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S APPLICATIONS

Другие IGBT... VBI2338, VBI2658, VBJ1101M, VBJ1201K, VBJ1322, VBJ1638, VBJ1695, VBJ2102M, 2SK3568, VBJ2658, VBK1270, VBK162K, VBK2298, VBK3215N, VBK362K, VBK4223N, VBK5213N