VBK1270 Todos los transistores

 

VBK1270 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBK1270
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 400 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323
     - Selección de transistores por parámetros

 

VBK1270 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:556K  cn vbsemi
 vbk1270.pdf pdf_icon

VBK1270

VBK1270www.VBsemi.comN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.036 at VGS = 10 V 4 TrenchFET Power MOSFET20 0.040 at VGS = 4.5 V 3.8 4 nC Typical ESD Protection 2000 V HBM0.048 at VGS = 2.5 V 3.6 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: RJK6026DPE | NCEP011NH25QU | IRFS52N15D | BRCS035N08SHRA | NCE80T320 | ZVN0545GTC | STP8N65M5

 

 
Back to Top

 


 
.