VBK1270 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VBK1270
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.56 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.3 V
   Carga de la puerta (Qg): 8.8 nC
   Tiempo de subida (tr): 400 nS
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBK1270

VBK1270 Datasheet (PDF)

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vbk1270.pdf

VBK1270www.VBsemi.comN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.036 at VGS = 10 V 4 TrenchFET Power MOSFET20 0.040 at VGS = 4.5 V 3.8 4 nC Typical ESD Protection 2000 V HBM0.048 at VGS = 2.5 V 3.6 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

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History: SE2302U

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: