VBK1270 Todos los transistores

 

VBK1270 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBK1270
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 400 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323
 

 Búsqueda de reemplazo de VBK1270 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VBK1270 PDF Specs

 ..1. Size:556K  cn vbsemi
 vbk1270.pdf pdf_icon

VBK1270

VBK1270 www.VBsemi.com N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.036 at VGS = 10 V 4 TrenchFET Power MOSFET 20 0.040 at VGS = 4.5 V 3.8 4 nC Typical ESD Protection 2000 V HBM 0.048 at VGS = 2.5 V 3.6 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC ... See More ⇒

Otros transistores... VBJ1101M , VBJ1201K , VBJ1322 , VBJ1638 , VBJ1695 , VBJ2102M , VBJ2456 , VBJ2658 , 5N60 , VBK162K , VBK2298 , VBK3215N , VBK362K , VBK4223N , VBK5213N , VBK8238 , VBL1101M .

 

 
Back to Top

 


 
.