Справочник MOSFET. VBK1270

 

VBK1270 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBK1270
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 400 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
 

 Аналог (замена) для VBK1270

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBK1270 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:556K  cn vbsemi
 vbk1270.pdf pdf_icon

VBK1270

VBK1270www.VBsemi.comN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.036 at VGS = 10 V 4 TrenchFET Power MOSFET20 0.040 at VGS = 4.5 V 3.8 4 nC Typical ESD Protection 2000 V HBM0.048 at VGS = 2.5 V 3.6 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Другие MOSFET... VBJ1101M , VBJ1201K , VBJ1322 , VBJ1638 , VBJ1695 , VBJ2102M , VBJ2456 , VBJ2658 , 13N50 , VBK162K , VBK2298 , VBK3215N , VBK362K , VBK4223N , VBK5213N , VBK8238 , VBL1101M .

History: UTT4407 | AM4930N | SUD50N04-37P | BSC019N02KSG | SVS60R190FD4 | PJT7801

 

 
Back to Top

 


 
.