VBK1270. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBK1270

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 400 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для VBK1270

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBK1270 даташит

 ..1. Size:556K  cn vbsemi
 vbk1270.pdf pdf_icon

VBK1270

VBK1270 www.VBsemi.com N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.036 at VGS = 10 V 4 TrenchFET Power MOSFET 20 0.040 at VGS = 4.5 V 3.8 4 nC Typical ESD Protection 2000 V HBM 0.048 at VGS = 2.5 V 3.6 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Другие IGBT... VBJ1101M, VBJ1201K, VBJ1322, VBJ1638, VBJ1695, VBJ2102M, VBJ2456, VBJ2658, 5N60, VBK162K, VBK2298, VBK3215N, VBK362K, VBK4223N, VBK5213N, VBK8238, VBL1101M