VBK2298 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBK2298  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.080 typ Ohm

Encapsulados: SOT323

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de VBK2298 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VBK2298 datasheet

 ..1. Size:567K  cn vbsemi
vbk2298.pdf pdf_icon

VBK2298

VBK2298 www.VBsemi.com P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)c Qg (Typ.) Definition 0.080 at VGS = - 4.5 V - 3.1 TrenchFET Power MOSFET 4.3 nC - 20 0.100 at VGS = - 2.5 V - 2.3 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch DC/DC Convert

Otros transistores... VBJ1322, VBJ1638, VBJ1695, VBJ2102M, VBJ2456, VBJ2658, VBK1270, VBK162K, STF13NM60N, VBK3215N, VBK362K, VBK4223N, VBK5213N, VBK8238, VBL1101M, VBL1101N, VBL1104N