Справочник MOSFET. VBK2298

 

VBK2298 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBK2298
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.080(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT323
 

 Аналог (замена) для VBK2298

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBK2298 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:567K  cn vbsemi
 vbk2298.pdf pdf_icon

VBK2298

VBK2298www.VBsemi.comP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = - 4.5 V - 3.1 TrenchFET Power MOSFET4.3 nC- 200.100 at VGS = - 2.5 V - 2.3 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch DC/DC Convert

Другие MOSFET... VBJ1322 , VBJ1638 , VBJ1695 , VBJ2102M , VBJ2456 , VBJ2658 , VBK1270 , VBK162K , IRFZ46N , VBK3215N , VBK362K , VBK4223N , VBK5213N , VBK8238 , VBL1101M , VBL1101N , VBL1104N .

History: VN10K-TO18 | IPB65R125C7 | TK31A60W | JCS16N25VC | AP6679GP-HF | NVMFS4C01N

 

 
Back to Top

 


 
.