VBK2298. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBK2298

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.080 typ Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для VBK2298

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBK2298 даташит

 ..1. Size:567K  cn vbsemi
 vbk2298.pdf pdf_icon

VBK2298

VBK2298 www.VBsemi.com P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)c Qg (Typ.) Definition 0.080 at VGS = - 4.5 V - 3.1 TrenchFET Power MOSFET 4.3 nC - 20 0.100 at VGS = - 2.5 V - 2.3 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch DC/DC Convert

Другие IGBT... VBJ1322, VBJ1638, VBJ1695, VBJ2102M, VBJ2456, VBJ2658, VBK1270, VBK162K, SI2302, VBK3215N, VBK362K, VBK4223N, VBK5213N, VBK8238, VBL1101M, VBL1101N, VBL1104N