VBK3215N Todos los transistores

 

VBK3215N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBK3215N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.086(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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VBK3215N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:567K  cn vbsemi
 vbk3215n.pdf pdf_icon

VBK3215N

VBK3215Nwww.VBsemi.comDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.086 at VGS = 4.5 V 2.6a 100 % Rg Tested20 0.110 at VGS = 2.5 V 2.5a 5.0 nC Typical ESD Protection 2100 V HBMa0.180 at VGS = 1.8 V 2.3 Compliant to RoHS Directiv

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History: CS3N100P | NCE70N1K4I | AFN3452 | BL9N50-A | 2SK3512-01SJ | TSD5N65M | GP2M012A080NG

 

 
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