VBK3215N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBK3215N  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.086 typ Ohm

Encapsulados: SOT363

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VBK3215N datasheet

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VBK3215N

VBK3215N www.VBsemi.com Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.086 at VGS = 4.5 V 2.6a 100 % Rg Tested 20 0.110 at VGS = 2.5 V 2.5a 5.0 nC Typical ESD Protection 2100 V HBM a 0.180 at VGS = 1.8 V 2.3 Compliant to RoHS Directiv

Otros transistores... VBJ1638, VBJ1695, VBJ2102M, VBJ2456, VBJ2658, VBK1270, VBK162K, VBK2298, 4N60, VBK362K, VBK4223N, VBK5213N, VBK8238, VBL1101M, VBL1101N, VBL1104N, VBL1105