VBK3215N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBK3215N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.086(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: SOT363
Búsqueda de reemplazo de VBK3215N MOSFET
VBK3215N PDF Specs
vbk3215n.pdf
VBK3215N www.VBsemi.com Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.086 at VGS = 4.5 V 2.6a 100 % Rg Tested 20 0.110 at VGS = 2.5 V 2.5a 5.0 nC Typical ESD Protection 2100 V HBM a 0.180 at VGS = 1.8 V 2.3 Compliant to RoHS Directiv... See More ⇒
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History: 2N7073
History: 2N7073
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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