VBK3215N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VBK3215N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 5 nC
Время нарастания (tr): 80 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.086(typ) Ohm
Тип корпуса: SOT363
VBK3215N Datasheet (PDF)
vbk3215n.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBK3215Nwww.VBsemi.comDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.086 at VGS = 4.5 V 2.6a 100 % Rg Tested20 0.110 at VGS = 2.5 V 2.5a 5.0 nC Typical ESD Protection 2100 V HBMa0.180 at VGS = 1.8 V 2.3 Compliant to RoHS Directiv
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
![VBK3215N](https://alltransistors.com/images/us.png)
![VBK3215N](https://alltransistors.com/images/es.png)
![VBK3215N](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C