VBK3215N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBK3215N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.086 typ Ohm

Тип корпуса: SOT363

Аналог (замена) для VBK3215N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBK3215N даташит

 ..1. Size:567K  cn vbsemi
 vbk3215n.pdf pdf_icon

VBK3215N

VBK3215N www.VBsemi.com Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.086 at VGS = 4.5 V 2.6a 100 % Rg Tested 20 0.110 at VGS = 2.5 V 2.5a 5.0 nC Typical ESD Protection 2100 V HBM a 0.180 at VGS = 1.8 V 2.3 Compliant to RoHS Directiv

Другие IGBT... VBJ1638, VBJ1695, VBJ2102M, VBJ2456, VBJ2658, VBK1270, VBK162K, VBK2298, AO3407, VBK362K, VBK4223N, VBK5213N, VBK8238, VBL1101M, VBL1101N, VBL1104N, VBL1105