Справочник MOSFET. VBK3215N

 

VBK3215N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBK3215N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.086(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT363
 

 Аналог (замена) для VBK3215N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBK3215N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:567K  cn vbsemi
 vbk3215n.pdf pdf_icon

VBK3215N

VBK3215Nwww.VBsemi.comDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.086 at VGS = 4.5 V 2.6a 100 % Rg Tested20 0.110 at VGS = 2.5 V 2.5a 5.0 nC Typical ESD Protection 2100 V HBMa0.180 at VGS = 1.8 V 2.3 Compliant to RoHS Directiv

Другие MOSFET... VBJ1638 , VBJ1695 , VBJ2102M , VBJ2456 , VBJ2658 , VBK1270 , VBK162K , VBK2298 , 7N60 , VBK362K , VBK4223N , VBK5213N , VBK8238 , VBL1101M , VBL1101N , VBL1104N , VBL1105 .

History: VBL165R10 | 2SK2081-01 | SSM3K03TE | 20P10 | AP2764AI-HF | P1010AT | 2SK1063

 

 
Back to Top

 


 
.