VBK362K Todos los transistores

 

VBK362K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBK362K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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VBK362K Datasheet (PDF)

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VBK362K

VBK362Kwww.VBsemi.comDual N-Channel 60 V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESVDS (V) RDS(on) ()ID (mA) Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition2.5 at VGS = 10 V60 300Low On-Resistance:2.5 Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 nsSOT-363 Low Input and Output LeakageSC-70 TrenchFET

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History: B7N70 | MPVA20N65F | GSM4804

 

 
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