VBK362K Todos los transistores

 

VBK362K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBK362K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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VBK362K PDF Specs

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VBK362K

VBK362K www.VBsemi.com Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) RDS(on) ( )ID (mA) Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition 2.5 at VGS = 10 V 60 300 Low On-Resistance 2.5 Low Threshold 2 V (typ.) Low Input Capacitance 25 pF Fast Switching Speed 25 ns SOT-363 Low Input and Output Leakage SC-70 TrenchFET ... See More ⇒

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History: DHS021N04D

 

 
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