VBK362K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBK362K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 typ Ohm

Тип корпуса: SOT363

Аналог (замена) для VBK362K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBK362K даташит

 ..1. Size:647K  cn vbsemi
 vbk362k.pdf pdf_icon

VBK362K

VBK362K www.VBsemi.com Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) RDS(on) ( )ID (mA) Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition 2.5 at VGS = 10 V 60 300 Low On-Resistance 2.5 Low Threshold 2 V (typ.) Low Input Capacitance 25 pF Fast Switching Speed 25 ns SOT-363 Low Input and Output Leakage SC-70 TrenchFET

Другие IGBT... VBJ1695, VBJ2102M, VBJ2456, VBJ2658, VBK1270, VBK162K, VBK2298, VBK3215N, 18N50, VBK4223N, VBK5213N, VBK8238, VBL1101M, VBL1101N, VBL1104N, VBL1105, VBL1154N