VBK362K - аналоги и даташиты транзистора

 

VBK362K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBK362K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT363
 

 Аналог (замена) для VBK362K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBK362K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:647K  cn vbsemi
 vbk362k.pdf pdf_icon

VBK362K

VBK362Kwww.VBsemi.comDual N-Channel 60 V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESVDS (V) RDS(on) ()ID (mA) Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition2.5 at VGS = 10 V60 300Low On-Resistance:2.5 Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 nsSOT-363 Low Input and Output LeakageSC-70 TrenchFET

Другие MOSFET... VBJ1695 , VBJ2102M , VBJ2456 , VBJ2658 , VBK1270 , VBK162K , VBK2298 , VBK3215N , RU6888R , VBK4223N , VBK5213N , VBK8238 , VBL1101M , VBL1101N , VBL1104N , VBL1105 , VBL1154N .

History: HGN080N10A | NCE60N390F | NCE60N640 | SIHP17N60D

 

 
Back to Top

 


 
.