VBK8238 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBK8238

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm

Encapsulados: SOT363

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VBK8238 datasheet

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VBK8238

001 VBK8238 www.VBsemi.com P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.041 at VGS = - 4.5 V - 4 TrenchFET Power MOSFET - 20 0.054 at VGS = - 2.5 V - 4 12.5 nC 100 % Rg Tested 0.100 at VGS = - 1.8 V - 4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS

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