VBK8238 Todos los transistores

 

VBK8238 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBK8238
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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VBK8238 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1041K  cn vbsemi
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VBK8238

001VBK8238www.VBsemi.comP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.041 at VGS = - 4.5 V - 4 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.054 at VGS = - 2.5 V - 4 12.5 nC 100 % Rg Tested0.100 at VGS = - 1.8 V - 4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

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History: DH020N03F | 2SK1841 | SWD4N65K | AP9467AGM | LNC07R085H | VBFB2658

 

 
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