VBK8238. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBK8238

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: SOT363

Аналог (замена) для VBK8238

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBK8238 даташит

 ..1. Size:1041K  cn vbsemi
 vbk8238.pdf pdf_icon

VBK8238

001 VBK8238 www.VBsemi.com P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.041 at VGS = - 4.5 V - 4 TrenchFET Power MOSFET - 20 0.054 at VGS = - 2.5 V - 4 12.5 nC 100 % Rg Tested 0.100 at VGS = - 1.8 V - 4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS

Другие IGBT... VBJ2658, VBK1270, VBK162K, VBK2298, VBK3215N, VBK362K, VBK4223N, VBK5213N, IRF2807, VBL1101M, VBL1101N, VBL1104N, VBL1105, VBL1154N, VBL1203M, VBL1310, VBL1405