VBK8238 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VBK8238
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
Тип корпуса: SOT363
VBK8238 Datasheet (PDF)
vbk8238.pdf

001VBK8238www.VBsemi.comP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.041 at VGS = - 4.5 V - 4 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.054 at VGS = - 2.5 V - 4 12.5 nC 100 % Rg Tested0.100 at VGS = - 1.8 V - 4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS
Другие MOSFET... VBJ2658 , VBK1270 , VBK162K , VBK2298 , VBK3215N , VBK362K , VBK4223N , VBK5213N , IRFB31N20D , VBL1101M , VBL1101N , VBL1104N , VBL1105 , VBL1154N , VBL1203M , VBL1310 , VBL1405 .
History: AP95T10GI-HF
History: AP95T10GI-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198