VBL1203M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBL1203M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO263

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VBL1203M datasheet

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VBL1203M

VBL1203M www.VBsemi.com Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 200 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.30 Surface Mount Qg (Max.) (nC) 43 Available in Tape and Reel Qgs (nC) 7.0 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 23 Repetitive Avalanche Rated Configuration Single Fast Switching Ease of Paralleling Sim

Otros transistores... VBK4223N, VBK5213N, VBK8238, VBL1101M, VBL1101N, VBL1104N, VBL1105, VBL1154N, 75N75, VBL1310, VBL1405, VBL1603, VBL1615, VBL1632, VBL165R04, VBL165R18, VBL1806