VBL1203M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBL1203M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de VBL1203M MOSFET
VBL1203M Datasheet (PDF)
vbl1203m.pdf

VBL1203Mwww.VBsemi.comPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 200DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.30 Surface MountQg (Max.) (nC) 43 Available in Tape and ReelQgs (nC) 7.0 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 23 Repetitive Avalanche RatedConfiguration Single Fast Switching Ease of Paralleling Sim
Otros transistores... VBK4223N , VBK5213N , VBK8238 , VBL1101M , VBL1101N , VBL1104N , VBL1105 , VBL1154N , IRF520 , VBL1310 , VBL1405 , VBL1603 , VBL1615 , VBL1632 , VBL165R04 , VBL165R18 , VBL1806 .
History: WMR14N03TB | STB34N65M5 | IPB049NE7N3 | R6530KNZ1 | AFP4403
History: WMR14N03TB | STB34N65M5 | IPB049NE7N3 | R6530KNZ1 | AFP4403



Liste
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