VBL1203M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBL1203M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для VBL1203M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBL1203M даташит

 ..1. Size:822K  cn vbsemi
 vbl1203m.pdf pdf_icon

VBL1203M

VBL1203M www.VBsemi.com Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 200 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.30 Surface Mount Qg (Max.) (nC) 43 Available in Tape and Reel Qgs (nC) 7.0 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 23 Repetitive Avalanche Rated Configuration Single Fast Switching Ease of Paralleling Sim

Другие IGBT... VBK4223N, VBK5213N, VBK8238, VBL1101M, VBL1101N, VBL1104N, VBL1105, VBL1154N, 75N75, VBL1310, VBL1405, VBL1603, VBL1615, VBL1632, VBL165R04, VBL165R18, VBL1806