Справочник MOSFET. VBL1203M

 

VBL1203M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBL1203M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для VBL1203M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBL1203M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:822K  cn vbsemi
 vbl1203m.pdf pdf_icon

VBL1203M

VBL1203Mwww.VBsemi.comPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 200DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.30 Surface MountQg (Max.) (nC) 43 Available in Tape and ReelQgs (nC) 7.0 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 23 Repetitive Avalanche RatedConfiguration Single Fast Switching Ease of Paralleling Sim

Другие MOSFET... VBK4223N , VBK5213N , VBK8238 , VBL1101M , VBL1101N , VBL1104N , VBL1105 , VBL1154N , IRF520 , VBL1310 , VBL1405 , VBL1603 , VBL1615 , VBL1632 , VBL165R04 , VBL165R18 , VBL1806 .

History: 12N45 | 2SK3608-01S | ZXM64P02X | MTM20N15 | PPMT20V4E | HM50P03D | 12N65KL-TF2-T

 

 
Back to Top

 


 
.