VBL1405 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBL1405
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1395 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de VBL1405 MOSFET
VBL1405 Datasheet (PDF)
vbl1405.pdf

VBL1405www.VBsemi.comN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.005 at VGS = 10 V 10040 53 nC 100 % Rg and UIS tested0.006 at VGS = 4.5 V 98 Material categorization:for definitions of compliance please see DTO-263GSSSDDGG
Otros transistores... VBK8238 , VBL1101M , VBL1101N , VBL1104N , VBL1105 , VBL1154N , VBL1203M , VBL1310 , IRFZ46N , VBL1603 , VBL1615 , VBL1632 , VBL165R04 , VBL165R18 , VBL1806 , VBL2309 , VBL2610N .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SSC8P22CN2 | SSC8P22AN3 | SSC8P20AN2 | SSC8K23GN2 | SSC8K21GN3 | SSC8415GS6 | AP20P01BF | AP20N10D | AP20N06S | AP20N06D | AP20N06BD | AP20N03D | AP20N02DF | AP20N02BF | AP20H04NF | AP20H03NF
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irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569