VBL1405 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VBL1405
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1395 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005(typ) Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для VBL1405
VBL1405 Datasheet (PDF)
vbl1405.pdf
VBL1405www.VBsemi.comN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.005 at VGS = 10 V 10040 53 nC 100 % Rg and UIS tested0.006 at VGS = 4.5 V 98 Material categorization:for definitions of compliance please see DTO-263GSSSDDGG
Другие MOSFET... VBK8238 , VBL1101M , VBL1101N , VBL1104N , VBL1105 , VBL1154N , VBL1203M , VBL1310 , IRFB31N20D , VBL1603 , VBL1615 , VBL1632 , VBL165R04 , VBL165R18 , VBL1806 , VBL2309 , VBL2610N .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569


