VBL1405 - аналоги и даташиты транзистора

 

VBL1405 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBL1405
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1395 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для VBL1405

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBL1405 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:606K  cn vbsemi
 vbl1405.pdf pdf_icon

VBL1405

VBL1405www.VBsemi.comN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.005 at VGS = 10 V 10040 53 nC 100 % Rg and UIS tested0.006 at VGS = 4.5 V 98 Material categorization:for definitions of compliance please see DTO-263GSSSDDGG

Другие MOSFET... VBK8238 , VBL1101M , VBL1101N , VBL1104N , VBL1105 , VBL1154N , VBL1203M , VBL1310 , IRFZ46N , VBL1603 , VBL1615 , VBL1632 , VBL165R04 , VBL165R18 , VBL1806 , VBL2309 , VBL2610N .

History: IRFR3504ZPBF | NCE60N1K0R | WSD20L120DN56 | VBL1203M | VBL1310 | NCEAP0135AK | NCEAP016N85LL

 

 
Back to Top

 


 
.