VBL1405. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBL1405

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1395 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 typ Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для VBL1405

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBL1405 даташит

 ..1. Size:606K  cn vbsemi
 vbl1405.pdf pdf_icon

VBL1405

VBL1405 www.VBsemi.com N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature 0.005 at VGS = 10 V 100 40 53 nC 100 % Rg and UIS tested 0.006 at VGS = 4.5 V 98 Material categorization for definitions of compliance please see D TO-263 G S S S D D G G

Другие IGBT... VBK8238, VBL1101M, VBL1101N, VBL1104N, VBL1105, VBL1154N, VBL1203M, VBL1310, IRFB31N20D, VBL1603, VBL1615, VBL1632, VBL165R04, VBL165R18, VBL1806, VBL2309, VBL2610N