VBL1806 Todos los transistores

 

VBL1806 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBL1806
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 370 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1395 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de VBL1806 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VBL1806 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:600K  cn vbsemi
 vbl1806.pdf pdf_icon

VBL1806

VBL1806www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.0065 at VGS = 10 V 12080 53.5 nC 100 % Rg and UIS tested0.0010 at VGS = 7.5 V 110 Material categorization:for definitions of compliance please see DTO-263GSSSDD

Otros transistores... VBL1203M , VBL1310 , VBL1405 , VBL1603 , VBL1615 , VBL1632 , VBL165R04 , VBL165R18 , IRF830 , VBL2309 , VBL2610N , VBL2625 , VBL2658 , VBM1101M , VBM1101N , VBM1102N , VBM1104N .

History: CS75N75B8H | WFF10N65 | CS75N08 | HFD1N60S

 

 
Back to Top

 


 
.