VBL1806 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VBL1806
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 370 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 53.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 22 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1395 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0065(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBL1806

VBL1806 Datasheet (PDF)

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vbl1806.pdf

VBL1806www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.0065 at VGS = 10 V 12080 53.5 nC 100 % Rg and UIS tested0.0010 at VGS = 7.5 V 110 Material categorization:for definitions of compliance please see DTO-263GSSSDD

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SSW65R022SFD3 | SVSP60R033P7HD4

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: