VBL1806 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VBL1806
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 370 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 53.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1395 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBL1806

VBL1806 Datasheet (PDF)

..1. Size:600K cn vbsemi
vbl1806.pdf

VBL1806www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.0065 at VGS = 10 V 12080 53.5 nC 100 % Rg and UIS tested0.0010 at VGS = 7.5 V 110 Material categorization:for definitions of compliance please see DTO-263GSSSDD

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Liste

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