Справочник MOSFET. VBL1806

 

VBL1806 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBL1806
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1395 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для VBL1806

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBL1806 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:600K  cn vbsemi
 vbl1806.pdf pdf_icon

VBL1806

VBL1806www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.0065 at VGS = 10 V 12080 53.5 nC 100 % Rg and UIS tested0.0010 at VGS = 7.5 V 110 Material categorization:for definitions of compliance please see DTO-263GSSSDD

Другие MOSFET... VBL1203M , VBL1310 , VBL1405 , VBL1603 , VBL1615 , VBL1632 , VBL165R04 , VBL165R18 , IRF1405 , VBL2309 , VBL2610N , VBL2625 , VBL2658 , VBM1101M , VBM1101N , VBM1102N , VBM1104N .

History: ME2325-G | C3M0120090J | DMG4468LFG | TPCP8101 | SIA438EDJ | ME7362 | P1060AT

 

 
Back to Top

 


 
.