VBL1806. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBL1806

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1395 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 typ Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для VBL1806

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBL1806 даташит

 ..1. Size:600K  cn vbsemi
 vbl1806.pdf pdf_icon

VBL1806

VBL1806 www.VBsemi.com N-Channel 80 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature 0.0065 at VGS = 10 V 120 80 53.5 nC 100 % Rg and UIS tested 0.0010 at VGS = 7.5 V 110 Material categorization for definitions of compliance please see D TO-263 G S S S D D

Другие IGBT... VBL1203M, VBL1310, VBL1405, VBL1603, VBL1615, VBL1632, VBL165R04, VBL165R18, IRF830, VBL2309, VBL2610N, VBL2625, VBL2658, VBM1101M, VBM1101N, VBM1102N, VBM1104N