Справочник MOSFET. VBL1806

 

VBL1806 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBL1806
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1395 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VBL1806 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:600K  cn vbsemi
 vbl1806.pdf pdf_icon

VBL1806

VBL1806www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.0065 at VGS = 10 V 12080 53.5 nC 100 % Rg and UIS tested0.0010 at VGS = 7.5 V 110 Material categorization:for definitions of compliance please see DTO-263GSSSDD

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CMPF5484 | STD150N3LLH6 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | BLP065N10GL-Q

 

 
Back to Top

 


 
.