VBM1151N Todos los transistores

 

VBM1151N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBM1151N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 114 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 535 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

VBM1151N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:500K  cn vbsemi
 vbm1151n.pdf pdf_icon

VBM1151N

VBM1151Nwww.VBsemi.comN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.0085 at VGS = 10 V 100150 60 nC 100 % Rg and UIS tested0.0095 at VGS = 7.5 V 98APPLICATIONSTO-220AB D Power supplies: - Uninterruptible power supplies - AC/DC switch-

 8.1. Size:703K  cn vbsemi
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VBM1151N

VBM1158Nwww.VBsemi.comN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 150 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.075 100 % Rg and UIS testedID (A) 20Configuration SinglePackage TO-220TO-220ABDGSSN-Channel MOSFETDGTop ViewSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise not

 9.1. Size:469K  cn vbsemi
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VBM1151N

VBM1102Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.018 at VGS = 10 V10070aCOMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersTO-220AB DGG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE M

 9.2. Size:1080K  cn vbsemi
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VBM1151N

VBM1101N/VBL1101Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature0.0085 at VGS = 10 V100100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC850.0100 at VGS = 6 VTO-220ABD TO-263G DRAIN connected to TAB G D S Top ViewS G D S Top ViewN-Ch

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History: NVD6495NL | DMT32M5LFG | 4N70L-TN3-R | TK6P53D | AP09N70R-H | IRHMK57260SE | OSG70R360DF

 

 
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