VBM1151N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBM1151N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 114 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 535 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 typ Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для VBM1151N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM1151N даташит

 ..1. Size:500K  cn vbsemi
 vbm1151n.pdf pdf_icon

VBM1151N

VBM1151N www.VBsemi.com N-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature 0.0085 at VGS = 10 V 100 150 60 nC 100 % Rg and UIS tested 0.0095 at VGS = 7.5 V 98 APPLICATIONS TO-220AB D Power supplies - Uninterruptible power supplies - AC/DC switch-

 8.1. Size:703K  cn vbsemi
 vbm1158n.pdf pdf_icon

VBM1151N

VBM1158N www.VBsemi.com N-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 150 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.075 100 % Rg and UIS tested ID (A) 20 Configuration Single Package TO-220 TO-220AB D G S S N-Channel MOSFET D G Top View S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise not

 9.1. Size:469K  cn vbsemi
 vbm1102n.pdf pdf_icon

VBM1151N

VBM1102N www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature RoHS 0.018 at VGS = 10 V 100 70a COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg Tested APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters TO-220AB D G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE M

 9.2. Size:1080K  cn vbsemi
 vbm1101n vbl1101n.pdf pdf_icon

VBM1151N

VBM1101N/VBL1101N www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature 0.0085 at VGS = 10 V 100 100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 85 0.0100 at VGS = 6 V TO-220AB D TO-263 G DRAIN connected to TAB G D S Top View S G D S Top View N-Ch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VBL2610N, VBL2625, VBL2658, VBM1101M, VBM1101N, VBM1102N, VBM1104N, VBM1105, AO4407A, VBM1158N, VBM1201K, VBM1201M, VBM1202M, VBM1203M, VBM1206, VBM1208N, VBM1302