Справочник MOSFET. VBM1151N

 

VBM1151N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBM1151N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 114 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 535 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM1151N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:500K  cn vbsemi
 vbm1151n.pdf pdf_icon

VBM1151N

VBM1151Nwww.VBsemi.comN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.0085 at VGS = 10 V 100150 60 nC 100 % Rg and UIS tested0.0095 at VGS = 7.5 V 98APPLICATIONSTO-220AB D Power supplies: - Uninterruptible power supplies - AC/DC switch-

 8.1. Size:703K  cn vbsemi
 vbm1158n.pdf pdf_icon

VBM1151N

VBM1158Nwww.VBsemi.comN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 150 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.075 100 % Rg and UIS testedID (A) 20Configuration SinglePackage TO-220TO-220ABDGSSN-Channel MOSFETDGTop ViewSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise not

 9.1. Size:469K  cn vbsemi
 vbm1102n.pdf pdf_icon

VBM1151N

VBM1102Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.018 at VGS = 10 V10070aCOMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersTO-220AB DGG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE M

 9.2. Size:1080K  cn vbsemi
 vbm1101n vbl1101n.pdf pdf_icon

VBM1151N

VBM1101N/VBL1101Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature0.0085 at VGS = 10 V100100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC850.0100 at VGS = 6 VTO-220ABD TO-263G DRAIN connected to TAB G D S Top ViewS G D S Top ViewN-Ch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SFF27N50Z | AP2306CGN-HF | FIR7NS70AFG | AP3908GD | STB8NM60N | IRF150P220 | SWN4N65D

 

 
Back to Top

 


 
.