VBM1203M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBM1203M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 121 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.270 typ Ohm

Encapsulados: TO220AB

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VBM1203M datasheet

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VBM1203M

VBM1203M www.VBsemi.com N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 0.270 at VGS =10V 10 200 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch TO-220AB D G S N-Channel MOSFET G D S Top View ABSOLUTE MAXIMUM RA

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VBM1203M

VBM1208N www.VBsemi.com N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature RoHS 0.060 at VGS = 10 V COMPLIANT 40 New Low Thermal Resistance Package 200 95 0.070 at VGS = 6 V 38.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS TO-220AB Industrial D G

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VBM1203M

VBM1206 www.VBsemi.com N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)a 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.004@ VGS = 4.5 V 100 20 20 0.005@ VGS = 2.5 V 95 APPLICATIONS OR-ing TO-220AB Server DC/DC D G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RAT

 8.3. Size:1415K  cn vbsemi
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VBM1203M

VBM1201K www.VBsemi.com N-Channel 200 V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) 200 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.85 175 C Junction Temperature Qg (Max.) (nC) 13 PWM Optimized 100 % Rg Tested Qgs (nC) 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Qgd (nC) 7.9 Configuration Single APPLICATIONS Primary Side Switch TO-220AB D G

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