VBM1203M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VBM1203M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 121 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.270(typ) Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для VBM1203M
VBM1203M Datasheet (PDF)
vbm1203m.pdf

VBM1203Mwww.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature0.270 at VGS =10V10200 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchTO-220ABDGSN-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RA
vbm1208n.pdf

VBM1208Nwww.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction TemperatureRoHS0.060 at VGS = 10 V COMPLIANT 40 New Low Thermal Resistance Package200 950.070 at VGS = 6 V38.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-220AB IndustrialDG
vbm1206.pdf

VBM1206www.VBsemi.comN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)a 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.004@ VGS = 4.5 V10020200.005@ VGS = 2.5 V 95APPLICATIONS OR-ingTO-220AB Server DC/DCDGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RAT
vbm1201k.pdf

VBM1201Kwww.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS (V) 200 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) ()VGS = 10 V 0.85 175 C Junction TemperatureQg (Max.) (nC) 13 PWM Optimized 100 % Rg TestedQgs (nC) 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECQgd (nC) 7.9Configuration SingleAPPLICATIONS Primary Side SwitchTO-220AB DG
Другие MOSFET... VBM1102N , VBM1104N , VBM1105 , VBM1151N , VBM1158N , VBM1201K , VBM1201M , VBM1202M , IRFZ44N , VBM1206 , VBM1208N , VBM1302 , VBM1303 , VBM1307 , VBL1307 , VBM1310 , VBM1402 .
History: STP20NM60FP | QS8M13 | AON6526 | CHM7401WGP | SM6F24NSFP | SSF8205UH2 | HYG025N06LS1C2
History: STP20NM60FP | QS8M13 | AON6526 | CHM7401WGP | SM6F24NSFP | SSF8205UH2 | HYG025N06LS1C2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079