VBM15R13 Todos los transistores

 

VBM15R13 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBM15R13
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.660(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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VBM15R13 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:665K  cn vbsemi
 vbm15r13.pdf pdf_icon

VBM15R13

VBM15R13www.VBsemi.comN hannel 500 D S Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Lower Gate Charge Qg Results in Simpler DriveVDS (V) 500ReqirementsRDS(on) ()VGS = 10 V 0.660 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 81Ruggedness Qgs (nC) 20Qgd (nC) 36 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageConfiguration Single Complian

 8.1. Size:796K  cn vbsemi
 vbm15r08.pdf pdf_icon

VBM15R13

VBM15R08www.VBsemi.comN hannel 500 D S Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low gate charge Qg results in simple drive VDS (V) 500requirementRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1 Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt Qg max. (nC) 49ruggednessQgs (nC) 13 Fully characterized capacitance and avalanche voltage Qgd (nC) 20and currentConfiguration SingleDT

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History: HAT2108R | MSQ94P33 | FQB47P06TMAM002 | TPD65R750C | SSM3J334R | BSC026N02KS | SSM3K320T

 

 
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