VBM15R13. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBM15R13

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.660 typ Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для VBM15R13

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM15R13 даташит

 ..1. Size:665K  cn vbsemi
 vbm15r13.pdf pdf_icon

VBM15R13

VBM15R13 www.VBsemi.com N hannel 500 D S Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Lower Gate Charge Qg Results in Simpler Drive VDS (V) 500 Reqirements RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.660 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qg (Max.) (nC) 81 Ruggedness Qgs (nC) 20 Qgd (nC) 36 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Configuration Single Complian

 8.1. Size:796K  cn vbsemi
 vbm15r08.pdf pdf_icon

VBM15R13

VBM15R08 www.VBsemi.com N hannel 500 D S Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low gate charge Qg results in simple drive VDS (V) 500 requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.1 Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt Qg max. (nC) 49 ruggedness Qgs (nC) 13 Fully characterized capacitance and avalanche voltage Qgd (nC) 20 and current Configuration Single D T

Другие IGBT... VBM1302, VBM1303, VBM1307, VBL1307, VBM1310, VBM1402, VBM1405, VBM15R08, IRF1404, VBM1603, VBM1606, VBM1615, VBM1638, VBM165R02, VBM165R04, VBM165R07, VBMB165R07