VBM15R13 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VBM15R13
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 81(max) nC
Время нарастания (tr): 39 ns
Выходная емкость (Cd): 290 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.660(typ) Ohm
Тип корпуса: TO220AB
VBM15R13 Datasheet (PDF)
vbm15r13.pdf
VBM15R13www.VBsemi.comN hannel 500 D S Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Lower Gate Charge Qg Results in Simpler DriveVDS (V) 500ReqirementsRDS(on) ()VGS = 10 V 0.660 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 81Ruggedness Qgs (nC) 20Qgd (nC) 36 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageConfiguration Single Complian
vbm15r08.pdf
VBM15R08www.VBsemi.comN hannel 500 D S Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low gate charge Qg results in simple drive VDS (V) 500requirementRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1 Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt Qg max. (nC) 49ruggednessQgs (nC) 13 Fully characterized capacitance and avalanche voltage Qgd (nC) 20and currentConfiguration SingleDT
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
