Справочник MOSFET. VBM15R13

 

VBM15R13 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBM15R13
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.660(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM15R13 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:665K  cn vbsemi
 vbm15r13.pdf pdf_icon

VBM15R13

VBM15R13www.VBsemi.comN hannel 500 D S Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Lower Gate Charge Qg Results in Simpler DriveVDS (V) 500ReqirementsRDS(on) ()VGS = 10 V 0.660 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 81Ruggedness Qgs (nC) 20Qgd (nC) 36 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageConfiguration Single Complian

 8.1. Size:796K  cn vbsemi
 vbm15r08.pdf pdf_icon

VBM15R13

VBM15R08www.VBsemi.comN hannel 500 D S Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low gate charge Qg results in simple drive VDS (V) 500requirementRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1 Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt Qg max. (nC) 49ruggednessQgs (nC) 13 Fully characterized capacitance and avalanche voltage Qgd (nC) 20and currentConfiguration SingleDT

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: VBQF1306 | SI7913DN | HUFA75329D3ST | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F

 

 
Back to Top

 


 
.