Справочник MOSFET. VBM15R13

 

VBM15R13 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBM15R13
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.660(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для VBM15R13

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM15R13 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:665K  cn vbsemi
 vbm15r13.pdf pdf_icon

VBM15R13

VBM15R13www.VBsemi.comN hannel 500 D S Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Lower Gate Charge Qg Results in Simpler DriveVDS (V) 500ReqirementsRDS(on) ()VGS = 10 V 0.660 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 81Ruggedness Qgs (nC) 20Qgd (nC) 36 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageConfiguration Single Complian

 8.1. Size:796K  cn vbsemi
 vbm15r08.pdf pdf_icon

VBM15R13

VBM15R08www.VBsemi.comN hannel 500 D S Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low gate charge Qg results in simple drive VDS (V) 500requirementRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1 Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt Qg max. (nC) 49ruggednessQgs (nC) 13 Fully characterized capacitance and avalanche voltage Qgd (nC) 20and currentConfiguration SingleDT

Другие MOSFET... VBM1302 , VBM1303 , VBM1307 , VBL1307 , VBM1310 , VBM1402 , VBM1405 , VBM15R08 , IRF1404 , VBM1603 , VBM1606 , VBM1615 , VBM1638 , VBM165R02 , VBM165R04 , VBM165R07 , VBMB165R07 .

History: AOT2144L | HM2309D | APT6030SVFR

 

 
Back to Top

 


 
.