VBM17R10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBM17R10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.97 typ Ohm

Encapsulados: TO220AB

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VBM17R10 datasheet

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VBM17R10

VBM17R10 www.VBsemi.com N hannel 700 D S ower MOSFET P FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) 700 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.97 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 40 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 4 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 20 Configuration Sin

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