VBM17R10 Todos los transistores

 

VBM17R10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBM17R10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.97(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

 Búsqueda de reemplazo de VBM17R10 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VBM17R10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1539K  cn vbsemi
 vbm17r10.pdf pdf_icon

VBM17R10

VBM17R10www.VBsemi.comN hannel 700 D S ower MOSFET PFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) 700 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.97 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC)40 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC)4 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC)20Configuration Sin

Otros transistores... VBMB16R02 , VBE16R02 , VBFB16R02 , VBM16R04 , VBMB16R04 , VBE16R04 , VBFB16R04 , VBM16R08 , IRLZ44N , VBM1806 , VBM1808 , VBM18R15S , VBMB18R15S , VBP18R15S , VBM2102M , VBM2309 , VBM2610N .

History: FQI5N30TU | AP9938GEY

 

 
Back to Top

 


 
.