Справочник MOSFET. VBM17R10

 

VBM17R10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBM17R10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.97(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для VBM17R10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM17R10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1539K  cn vbsemi
 vbm17r10.pdf pdf_icon

VBM17R10

VBM17R10www.VBsemi.comN hannel 700 D S ower MOSFET PFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) 700 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.97 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC)40 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC)4 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC)20Configuration Sin

Другие MOSFET... VBMB16R02 , VBE16R02 , VBFB16R02 , VBM16R04 , VBMB16R04 , VBE16R04 , VBFB16R04 , VBM16R08 , IRLZ44N , VBM1806 , VBM1808 , VBM18R15S , VBMB18R15S , VBP18R15S , VBM2102M , VBM2309 , VBM2610N .

History: CS7N70F | NCE60H15AD | IPU95R450P7

 

 
Back to Top

 


 
.