VBM17R10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VBM17R10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 97 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 43 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 80 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.97(typ) Ohm
Тип корпуса: TO220AB
VBM17R10 Datasheet (PDF)
..1. Size:1539K cn vbsemi
vbm17r10.pdf
vbm17r10.pdf
VBM17R10www.VBsemi.comN hannel 700 D S ower MOSFET PFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) 700 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.97 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC)40 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC)4 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC)20Configuration Sin
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
