Справочник MOSFET. VBM17R10

 

VBM17R10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBM17R10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 43 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.97(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM17R10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1539K  cn vbsemi
 vbm17r10.pdf pdf_icon

VBM17R10

VBM17R10www.VBsemi.comN hannel 700 D S ower MOSFET PFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) 700 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.97 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC)40 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC)4 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC)20Configuration Sin

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.