VBM17R10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBM17R10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.97 typ Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для VBM17R10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM17R10 даташит

 ..1. Size:1539K  cn vbsemi
 vbm17r10.pdf pdf_icon

VBM17R10

VBM17R10 www.VBsemi.com N hannel 700 D S ower MOSFET P FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) 700 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.97 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 40 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 4 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 20 Configuration Sin

Другие IGBT... VBMB16R02, VBE16R02, VBFB16R02, VBM16R04, VBMB16R04, VBE16R04, VBFB16R04, VBM16R08, AON6380, VBM1806, VBM1808, VBM18R15S, VBMB18R15S, VBP18R15S, VBM2102M, VBM2309, VBM2610N