FDC2612 Todos los transistores

 

FDC2612 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDC2612
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.725 Ohm
   Paquete / Cubierta: SSOT6
 

 Búsqueda de reemplazo de FDC2612 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDC2612 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  fairchild semi
 fdc2612.pdf pdf_icon

FDC2612

February 2002 FDC2612 200V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 1.1 A, 200 V. RDS(ON) = 725 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional High performance trench technology for extremely switching PWM controllers

Otros transistores... STU30N01 , FDB8880 , STU30L01A , FDB8896 , STU30L01 , FDB8896F085 , STU309DH , FDC2512 , AO3407 , STU309D , FDC3512 , FDC3535 , FDC3601N , STU307S , FDC3612 , STU3055L , FDC365P .

 

 
Back to Top

 


 
.