FDC2612 - описание и поиск аналогов

 

FDC2612. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDC2612

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.725 Ohm

Тип корпуса: SSOT6

Аналог (замена) для FDC2612

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDC2612 даташит

 ..1. Size:201K  fairchild semi
 fdc2612.pdf pdf_icon

FDC2612

February 2002 FDC2612 200V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 1.1 A, 200 V. RDS(ON) = 725 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional High performance trench technology for extremely switching PWM controllers

Другие MOSFET... STU30N01 , FDB8880 , STU30L01A , FDB8896 , STU30L01 , FDB8896F085 , STU309DH , FDC2512 , AO4407A , STU309D , FDC3512 , FDC3535 , FDC3601N , STU307S , FDC3612 , STU3055L , FDC365P .

History: FDC2512

 

 

 


 
↑ Back to Top
.