Справочник MOSFET. FDC2612

 

FDC2612 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDC2612
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.725 Ohm
   Тип корпуса: SSOT6
 

 Аналог (замена) для FDC2612

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDC2612 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  fairchild semi
 fdc2612.pdf pdf_icon

FDC2612

February 2002 FDC2612 200V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 1.1 A, 200 V. RDS(ON) = 725 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional High performance trench technology for extremely switching PWM controllers

Другие MOSFET... STU30N01 , FDB8880 , STU30L01A , FDB8896 , STU30L01 , FDB8896F085 , STU309DH , FDC2512 , AO3407 , STU309D , FDC3512 , FDC3535 , FDC3601N , STU307S , FDC3612 , STU3055L , FDC365P .

History: APT8030JVR | APT20M38SVFRG | NTS4409NT1G | HUF76137P3

 

 
Back to Top

 


 
.