VBM2102M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBM2102M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 11.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.167(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de VBM2102M MOSFET
VBM2102M Datasheet (PDF)
vbm2102m.pdf

VBM2102Mwww.VBsemi.comP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.167 at VGS = - 10 V- 18- 100 37 100 % Rg and UIS Tested0.180 at VGS = - 4.5 V - 14 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-220AB Power Switc
Otros transistores... VBFB16R04 , VBM16R08 , VBM17R10 , VBM1806 , VBM1808 , VBM18R15S , VBMB18R15S , VBP18R15S , IRF1407 , VBM2309 , VBM2610N , VBM2625 , VBM2658 , VBMB1101M , VBMB1104N , VBMB1203M , VBMB1208N .
History: BLS60R360-D
History: BLS60R360-D



Liste
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