VBM2102M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBM2102M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.167 typ Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для VBM2102M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM2102M даташит

 ..1. Size:511K  cn vbsemi
 vbm2102m.pdf pdf_icon

VBM2102M

VBM2102M www.VBsemi.com P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.167 at VGS = - 10 V - 18 - 100 37 100 % Rg and UIS Tested 0.180 at VGS = - 4.5 V - 14 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS TO-220AB Power Switc

Другие IGBT... VBFB16R04, VBM16R08, VBM17R10, VBM1806, VBM1808, VBM18R15S, VBMB18R15S, VBP18R15S, IRFP450, VBM2309, VBM2610N, VBM2625, VBM2658, VBMB1101M, VBMB1104N, VBMB1203M, VBMB1208N