Справочник MOSFET. VBM2102M

 

VBM2102M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBM2102M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.167(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM2102M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:511K  cn vbsemi
 vbm2102m.pdf pdf_icon

VBM2102M

VBM2102Mwww.VBsemi.comP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.167 at VGS = - 10 V- 18- 100 37 100 % Rg and UIS Tested0.180 at VGS = - 4.5 V - 14 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-220AB Power Switc

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRF7805A | SI7913DN | APT11N80BC3 | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F

 

 
Back to Top

 


 
.