Справочник MOSFET. VBM2102M

 

VBM2102M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBM2102M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.167(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для VBM2102M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM2102M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:511K  cn vbsemi
 vbm2102m.pdf pdf_icon

VBM2102M

VBM2102Mwww.VBsemi.comP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.167 at VGS = - 10 V- 18- 100 37 100 % Rg and UIS Tested0.180 at VGS = - 4.5 V - 14 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-220AB Power Switc

Другие MOSFET... VBFB16R04 , VBM16R08 , VBM17R10 , VBM1806 , VBM1808 , VBM18R15S , VBMB18R15S , VBP18R15S , IRF1407 , VBM2309 , VBM2610N , VBM2625 , VBM2658 , VBMB1101M , VBMB1104N , VBMB1203M , VBMB1208N .

History: 2SK2084STL-E | LNC06R062 | SLH60R080SS | AP4511GM | IRFY340CM | TSF840MR

 

 
Back to Top

 


 
.