VBM2309 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBM2309
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 57 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 455 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBM2309
VBM2309 Datasheet (PDF)
vbm2309.pdf
VBM2309www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0092 at VGS = - 10 V - 60 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.0128 at VGS = - 4.5 V - 55APPLICATIONS Load SwitchTO-220AB Notebook Adaptor SwitchS G G D STop View
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