VBM2309 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBM2309

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 455 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 typ Ohm

Encapsulados: TO220AB

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VBM2309 datasheet

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VBM2309

VBM2309 www.VBsemi.com P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0092 at VGS = - 10 V - 60 100 % Rg Tested RoHS - 30 29.5 nC COMPLIANT 100 % UIS Tested 0.0128 at VGS = - 4.5 V - 55 APPLICATIONS Load Switch TO-220AB Notebook Adaptor Switch S G G D S Top View

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