Справочник MOSFET. VBM2309

 

VBM2309 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBM2309
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 455 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для VBM2309

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM2309 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:672K  cn vbsemi
 vbm2309.pdf pdf_icon

VBM2309

VBM2309www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0092 at VGS = - 10 V - 60 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.0128 at VGS = - 4.5 V - 55APPLICATIONS Load SwitchTO-220AB Notebook Adaptor SwitchS G G D STop View

Другие MOSFET... VBM16R08 , VBM17R10 , VBM1806 , VBM1808 , VBM18R15S , VBMB18R15S , VBP18R15S , VBM2102M , IRFZ24N , VBM2610N , VBM2625 , VBM2658 , VBMB1101M , VBMB1104N , VBMB1203M , VBMB1208N , VBMB1303 .

History: MTNK3C3 | LSGC04R025 | AOY66620 | DH100P70 | PHB29N08T | IRFSL23N15D

 

 
Back to Top

 


 
.