VBM2309. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBM2309

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 455 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 typ Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для VBM2309

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM2309 даташит

 ..1. Size:672K  cn vbsemi
 vbm2309.pdf pdf_icon

VBM2309

VBM2309 www.VBsemi.com P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0092 at VGS = - 10 V - 60 100 % Rg Tested RoHS - 30 29.5 nC COMPLIANT 100 % UIS Tested 0.0128 at VGS = - 4.5 V - 55 APPLICATIONS Load Switch TO-220AB Notebook Adaptor Switch S G G D S Top View

Другие IGBT... VBM16R08, VBM17R10, VBM1806, VBM1808, VBM18R15S, VBMB18R15S, VBP18R15S, VBM2102M, TK10A60D, VBM2610N, VBM2625, VBM2658, VBMB1101M, VBMB1104N, VBMB1203M, VBMB1208N, VBMB1303