VBNC1303 Todos los transistores

 

VBNC1303 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBNC1303
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 98 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1725 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
     - Selección de transistores por parámetros

 

VBNC1303 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:491K  cn vbsemi
 vbnc1303 vbl1303.pdf pdf_icon

VBNC1303

VBNC1303 / VBL1303www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.0038 at VGS = 10 V 9830 82 nC0.0044 at VGS = 4.5 V 98APPLICATIONS OR-ing Server DC/DCDI2PAK D2PAK(TO-262) (TO-263)GGD

Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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