VBNC1303 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBNC1303
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 98 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 171 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1725 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBNC1303
VBNC1303 Datasheet (PDF)
vbnc1303 vbl1303.pdf
VBNC1303 / VBL1303www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.0038 at VGS = 10 V 9830 82 nC0.0044 at VGS = 4.5 V 98APPLICATIONS OR-ing Server DC/DCDI2PAK D2PAK(TO-262) (TO-263)GGD
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .