VBNC1303 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBNC1303
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 98 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1725 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
Búsqueda de reemplazo de VBNC1303 MOSFET
VBNC1303 Datasheet (PDF)
vbnc1303 vbl1303.pdf

VBNC1303 / VBL1303www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.0038 at VGS = 10 V 9830 82 nC0.0044 at VGS = 4.5 V 98APPLICATIONS OR-ing Server DC/DCDI2PAK D2PAK(TO-262) (TO-263)GGD
Otros transistores... VBMB165R18 , VBMB165R20 , VBMB16R08 , VBMB17R07 , VBMB185R05 , VBMB2102M , VBMB2610N , VBMB2658 , IRF9640 , VBL1303 , VBP1104N , VBP15R50S , VBP1606 , VBQA1102N , VBQA1302 , VBQA1303 , VBQA1308 .
History: IXFH86N30T | 2N6793 | VBQA1102N | ME2301S | HM40N10KA | VBP15R50S | 2N6794JANTXV
History: IXFH86N30T | 2N6793 | VBQA1102N | ME2301S | HM40N10KA | VBP15R50S | 2N6794JANTXV



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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