VBNC1303. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBNC1303

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 98 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1725 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для VBNC1303

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBNC1303 даташит

 ..1. Size:491K  cn vbsemi
 vbnc1303 vbl1303.pdf pdf_icon

VBNC1303

VBNC1303 / VBL1303 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.0038 at VGS = 10 V 98 30 82 nC 0.0044 at VGS = 4.5 V 98 APPLICATIONS OR-ing Server DC/DC D I2PAK D2PAK (TO-262) (TO-263) G G D

Другие IGBT... VBMB165R18, VBMB165R20, VBMB16R08, VBMB17R07, VBMB185R05, VBMB2102M, VBMB2610N, VBMB2658, IRF1405, VBL1303, VBP1104N, VBP15R50S, VBP1606, VBQA1102N, VBQA1302, VBQA1303, VBQA1308