VBP15R50S Todos los transistores

 

VBP15R50S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBP15R50S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 530 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.080(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SUPER247
 

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VBP15R50S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:458K  cn vbsemi
 vbp15r50s.pdf pdf_icon

VBP15R50S

VBP15R50Swww.VBsemi.comN-Channel 500V(D-S) Super Junction Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.080 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 350RuggednessQgs (nC) 85 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 180and Current

Otros transistores... VBMB17R07 , VBMB185R05 , VBMB2102M , VBMB2610N , VBMB2658 , VBNC1303 , VBL1303 , VBP1104N , STP65NF06 , VBP1606 , VBQA1102N , VBQA1302 , VBQA1303 , VBQA1308 , VBQA1402 , VBQA1405 , VBQA1606 .

History: DMN3016LDN | STD100NH02LT4 | AP98T07GP-HF | SVGP03100NCS | STD100N03LT4 | WMS048NV6LG4 | ZXMN2A01E6TA

 

 
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