VBP15R50S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBP15R50S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 530 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 350(max) nC
Tiempo de subida (tr): 140 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 460 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.080(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: SUPER247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBP15R50S
VBP15R50S Datasheet (PDF)
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vbp15r50s.pdf
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VBP15R50Swww.VBsemi.comN-Channel 500V(D-S) Super Junction Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.080 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 350RuggednessQgs (nC) 85 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 180and Current
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
