VBP15R50S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBP15R50S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 530 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.080 typ Ohm

Encapsulados: SUPER247

 Búsqueda de reemplazo de VBP15R50S MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VBP15R50S datasheet

 ..1. Size:458K  cn vbsemi
 vbp15r50s.pdf pdf_icon

VBP15R50S

VBP15R50S www.VBsemi.com N-Channel 500V(D-S) Super Junction Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 500 Requirement Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.080 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qg (Max.) (nC) 350 Ruggedness Qgs (nC) 85 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Qgd (nC) 180 and Current

Otros transistores... VBMB17R07, VBMB185R05, VBMB2102M, VBMB2610N, VBMB2658, VBNC1303, VBL1303, VBP1104N, IRFZ46N, VBP1606, VBQA1102N, VBQA1302, VBQA1303, VBQA1308, VBQA1402, VBQA1405, VBQA1606