VBP15R50S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBP15R50S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 530 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.080 typ Ohm

Тип корпуса: SUPER247

Аналог (замена) для VBP15R50S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBP15R50S даташит

 ..1. Size:458K  cn vbsemi
 vbp15r50s.pdf pdf_icon

VBP15R50S

VBP15R50S www.VBsemi.com N-Channel 500V(D-S) Super Junction Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 500 Requirement Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.080 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qg (Max.) (nC) 350 Ruggedness Qgs (nC) 85 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Qgd (nC) 180 and Current

Другие IGBT... VBMB17R07, VBMB185R05, VBMB2102M, VBMB2610N, VBMB2658, VBNC1303, VBL1303, VBP1104N, IRFZ46N, VBP1606, VBQA1102N, VBQA1302, VBQA1303, VBQA1308, VBQA1402, VBQA1405, VBQA1606