VBP1606 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VBP1606
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 175 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 150 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 97 nC
   Tiempo de subida (tr): 14 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 710 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.007(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247AC

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBP1606

VBP1606 Datasheet (PDF)

..1. Size:871K cn vbsemi
vbp1606.pdf

VBP1606www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.007 100 % Rg and UIS testedID (A) 150Configuration SinglePackage TO-247DTO-247ACGSDGN-Channel MOSFET SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)PARAMETER S

9.1. Size:895K cn vbsemi
vbm165r20s vbmb165r20s vbp165r20s vbl165r20s.pdf

VBM165R20S / VBMB165R20SVBP165R20S / VBL165R20Swww.VBsemi.comN-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Reduced trr, Qrr, and IRRMVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgRDS(on) max. () at 25 C VGS = 10 V 0.19 Low input capacitance (Ciss)Qg max. (nC) 106 Low switching losses due to reduced QrrQgs (nC) 14 Ul

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Liste

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