Справочник MOSFET. VBP1606

 

VBP1606 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBP1606
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO247AC
 

 Аналог (замена) для VBP1606

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBP1606 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:871K  cn vbsemi
 vbp1606.pdf pdf_icon

VBP1606

VBP1606www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.007 100 % Rg and UIS testedID (A) 150Configuration SinglePackage TO-247DTO-247ACGSDGN-Channel MOSFET SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)PARAMETER S

 9.1. Size:895K  cn vbsemi
 vbm165r20s vbmb165r20s vbp165r20s vbl165r20s.pdf pdf_icon

VBP1606

VBM165R20S / VBMB165R20SVBP165R20S / VBL165R20Swww.VBsemi.comN-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Reduced trr, Qrr, and IRRMVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgRDS(on) max. () at 25 C VGS = 10 V 0.19 Low input capacitance (Ciss)Qg max. (nC) 106 Low switching losses due to reduced QrrQgs (nC) 14 Ul

Другие MOSFET... VBMB185R05 , VBMB2102M , VBMB2610N , VBMB2658 , VBNC1303 , VBL1303 , VBP1104N , VBP15R50S , IRF1405 , VBQA1102N , VBQA1302 , VBQA1303 , VBQA1308 , VBQA1402 , VBQA1405 , VBQA1606 , VBQA1638 .

History: JCS7N65FE | IRFY330C | NCE8205 | ZXMN7A11GTA | IRF3205PBF | AP4578GM | HGD155N15S

 

 
Back to Top

 


 
.