VBQA2305 Todos los transistores

 

VBQA2305 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBQA2305
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.95 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1375 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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VBQA2305 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  cn vbsemi
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VBQA2305

VBQA2305www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.004 at VGS = - 10 V - 120COMPLIANT - 30 130 nC 100 % Rg Tested0.006 at VGS = - 4.5 V - 100APPLICATIONS Notebook- Load SwitchSDFN5X6Top ViewTop View Bottom View18G27364

 7.1. Size:266K  cn vbsemi
 vbqa2309.pdf pdf_icon

VBQA2305

VBQA2309www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Extended VGS range ( 25 V) for adaptor switchVDS (V) RDS(on) () Max. applicationsID a Qg (Typ.) Extremely low RDS(on)0.0080 at VGS = - 10 V - 60 TrenchFET Power MOSFET- 30 0.0090 at VGS = - 6 V - 53 66 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0012 at VGS = - 4.5 V - 50 Typical ESD Pe

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History: FDPF15N65YDTU | ZVN0124ASTOB | GSM501DEA | SPMT9200F | NCEP030N85LL | NP160N055TUJ | IRFPG50PBF

 

 
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