VBQA2305. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBQA2305

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.95 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1375 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 typ Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для VBQA2305

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBQA2305 даташит

 ..1. Size:485K  cn vbsemi
 vbqa2305.pdf pdf_icon

VBQA2305

VBQA2305 www.VBsemi.com P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.004 at VGS = - 10 V - 120 COMPLIANT - 30 130 nC 100 % Rg Tested 0.006 at VGS = - 4.5 V - 100 APPLICATIONS Notebook - Load Switch S DFN5X6 Top View Top View Bottom View 1 8 G 2 7 3 6 4

 7.1. Size:266K  cn vbsemi
 vbqa2309.pdf pdf_icon

VBQA2305

VBQA2309 www.VBsemi.com P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Extended VGS range ( 25 V) for adaptor switch VDS (V) RDS(on) ( ) Max. applications ID a Qg (Typ.) Extremely low RDS(on) 0.0080 at VGS = - 10 V - 60 TrenchFET Power MOSFET - 30 0.0090 at VGS = - 6 V - 53 66 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0012 at VGS = - 4.5 V - 50 Typical ESD Pe

Другие IGBT... VBQA1102N, VBQA1302, VBQA1303, VBQA1308, VBQA1402, VBQA1405, VBQA1606, VBQA1638, AOD4184A, VBQA2309, VBQA3316, VBQF1206, VBQF1303, VBQF1306, VBQF1310, VBQF2120, VBQF2309