Справочник MOSFET. VBQA2305

 

VBQA2305 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBQA2305
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.95 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1375 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004(typ) Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для VBQA2305

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBQA2305 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  cn vbsemi
 vbqa2305.pdf pdf_icon

VBQA2305

VBQA2305www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.004 at VGS = - 10 V - 120COMPLIANT - 30 130 nC 100 % Rg Tested0.006 at VGS = - 4.5 V - 100APPLICATIONS Notebook- Load SwitchSDFN5X6Top ViewTop View Bottom View18G27364

 7.1. Size:266K  cn vbsemi
 vbqa2309.pdf pdf_icon

VBQA2305

VBQA2309www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Extended VGS range ( 25 V) for adaptor switchVDS (V) RDS(on) () Max. applicationsID a Qg (Typ.) Extremely low RDS(on)0.0080 at VGS = - 10 V - 60 TrenchFET Power MOSFET- 30 0.0090 at VGS = - 6 V - 53 66 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0012 at VGS = - 4.5 V - 50 Typical ESD Pe

Другие MOSFET... VBQA1102N , VBQA1302 , VBQA1303 , VBQA1308 , VBQA1402 , VBQA1405 , VBQA1606 , VBQA1638 , HY1906P , VBQA2309 , VBQA3316 , VBQF1206 , VBQF1303 , VBQF1306 , VBQF1310 , VBQF2120 , VBQF2309 .

History: UT9971P | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | SSM3K72CTC | AUIRFB8407 | PA110BEA

 

 
Back to Top

 


 
.