VBQA3316 Todos los transistores

 

VBQA3316 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBQA3316
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.020(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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VBQA3316 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:705K  cn vbsemi
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VBQA3316

VBQA3316www.VBsemi.comDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.020 at VGS = 10 V 22 TrenchFET Power MOSFET300.023 at VGS = 4.5 V 18 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8 D2D1S1 6.15 mm 5.15 mm 1G1 2S2 3G2

Otros transistores... VBQA1303 , VBQA1308 , VBQA1402 , VBQA1405 , VBQA1606 , VBQA1638 , VBQA2305 , VBQA2309 , IRFB7545 , VBQF1206 , VBQF1303 , VBQF1306 , VBQF1310 , VBQF2120 , VBQF2309 , VBQG4240 , VBQG7313 .

History: NP160N04TUJ | IRF7907PBF-1

 

 
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