VBQA3316 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBQA3316

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.020 typ Ohm

Encapsulados: SO8

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VBQA3316 datasheet

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VBQA3316

VBQA3316 www.VBsemi.com Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.020 at VGS = 10 V 22 TrenchFET Power MOSFET 30 0.023 at VGS = 4.5 V 18 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK SO-8 D2 D1 S1 6.15 mm 5.15 mm 1 G1 2 S2 3 G2

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