VBQA3316 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBQA3316
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.020(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBQA3316
VBQA3316 Datasheet (PDF)
vbqa3316.pdf
VBQA3316www.VBsemi.comDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.020 at VGS = 10 V 22 TrenchFET Power MOSFET300.023 at VGS = 4.5 V 18 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8 D2D1S1 6.15 mm 5.15 mm 1G1 2S2 3G2
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Liste
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MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100