VBQA3316. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBQA3316

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.020 typ Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для VBQA3316

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBQA3316 даташит

 ..1. Size:705K  cn vbsemi
 vbqa3316.pdf pdf_icon

VBQA3316

VBQA3316 www.VBsemi.com Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.020 at VGS = 10 V 22 TrenchFET Power MOSFET 30 0.023 at VGS = 4.5 V 18 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK SO-8 D2 D1 S1 6.15 mm 5.15 mm 1 G1 2 S2 3 G2

Другие IGBT... VBQA1303, VBQA1308, VBQA1402, VBQA1405, VBQA1606, VBQA1638, VBQA2305, VBQA2309, 60N06, VBQF1206, VBQF1303, VBQF1306, VBQF1310, VBQF2120, VBQF2309, VBQG4240, VBQG7313