Справочник MOSFET. VBQA3316

 

VBQA3316 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBQA3316
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.020(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для VBQA3316

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBQA3316 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:705K  cn vbsemi
 vbqa3316.pdf pdf_icon

VBQA3316

VBQA3316www.VBsemi.comDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.020 at VGS = 10 V 22 TrenchFET Power MOSFET300.023 at VGS = 4.5 V 18 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8 D2D1S1 6.15 mm 5.15 mm 1G1 2S2 3G2

Другие MOSFET... VBQA1303 , VBQA1308 , VBQA1402 , VBQA1405 , VBQA1606 , VBQA1638 , VBQA2305 , VBQA2309 , AO4468 , VBQF1206 , VBQF1303 , VBQF1306 , VBQF1310 , VBQF2120 , VBQF2309 , VBQG4240 , VBQG7313 .

History: APT56M60L | 2SK2329S | AP3989R | MIC94053YC6TR | IRF7707 | INK0102AM1 | SI1441EDH

 

 
Back to Top

 


 
.