VBQF1303 Todos los transistores

 

VBQF1303 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBQF1303
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 406 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0040(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3EP
 

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VBQF1303 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:983K  cn vbsemi
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VBQF1303

VBQF1303www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARY DefinitionVDS (V) RDS(on) () Typ. Qg (Typ.)ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.004 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg and UIS Tested30 33.5 nC0.005 at VGS = 2.5 V 45 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Motor Control In

 7.1. Size:1082K  cn vbsemi
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VBQF1303

VBQF1306www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0045 at VGS = 10 V 40 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 26.5 nC0.0060 at VGS = 4.5 V 33.3APPLICATIONS DC/DC Conversion- Low-Side Switch Notebook PC GamingD DFN 3x3 EPTop View

 8.1. Size:1422K  cn vbsemi
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VBQF1303

VBQF1310www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.010 at V = 10 V 30GS 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 26.5 nC0.018 at V = 4.5 V 25GS APPLICATIONS DC/DC Conversion- Low-Side Switch Notebook PC GamingD DFN 3x3 EPTop View

 9.1. Size:493K  cn vbsemi
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VBQF1303

VBQF1206www.VBsemi.comN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.0055 at VGS = 4.5V 5820 9.4 nC0.0057 at VGS = 2.5 V 45APPLICATIONS High power density DC/DC Synchronous rectification Embedded DC/DCDFN 3x3 EPD Bottom View Top View Top View1

Otros transistores... VBQA1402 , VBQA1405 , VBQA1606 , VBQA1638 , VBQA2305 , VBQA2309 , VBQA3316 , VBQF1206 , IRFP064N , VBQF1306 , VBQF1310 , VBQF2120 , VBQF2309 , VBQG4240 , VBQG7313 , VBQG7322 , VBQG8238 .

History: UTM2054L-AB3-R | HCU7NE70S | STF10NM60N

 

 
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